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参数资料
| 型号： | IRF520N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 100伏，的Rds（on）\u003d 0.20欧姆，身份证\u003d 9.7A） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | IRF520N |
IRF520N
HEXFET
Power MOSFET
PD - 91339A
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
S
D
G
Parameter
Max.
9.7
6.8
38
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
3.1
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
V
DSS
= 100V
R
DS(on)
= 0.20
I
D
= 9.7A
TO-220AB
l
Advanced Process Technology
l
Dynamic dv/dt Rating
l
175°C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Fully Avalanche Rated
Description
5/13/98
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PDF描述 |
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