型号: | IRF520N |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 100伏,的Rds(on)\u003d 0.20欧姆,身份证\u003d 9.7A) |
文件页数: | 2/8页 |
文件大小: | 116K |
代理商: | IRF520N |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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IRF520NS | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |