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参数资料
| 型号： | IRF520N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF520N |
IRF520N
Package Outline
TO-220AB Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.11 3)
2.62 (.10 3)
10 .54 (.4 15)
10 .29 (.4 05)
3 .7 8 (.149 )
3 .5 4 (.139 )
-A -
4.69 ( .18 5 )
4.20 ( .16 5 )
-B -
1 .32 (.05 2)
1 .22 (.04 8)
6.47 (.25 5)
1 5.24 (.60 0)
1 4.84 (.58 4)
4
6.10 (.24 0)
1.15 (.04 5)
M IN
L E A D A S S IG NM E NT S
1 - GATE
1
2
3
2 - D R A IN
3 - S O U RC E
4 - D R A IN
1 4.09 (.55 5)
1 3.47 (.53 0)
4.06 (.16 0)
3.55 (.14 0)
0.69 (.02 7)
3X
3X
1 .4 0 (.0 55 )
1 .1 5 (.0 45 )
0.93 (.03 7)
3X
0 .3 6 (.01 4)
M
B A M
0.55 (.02 2)
0.46 (.01 8)
2 .92 (.11 5)
2.54 (.10 0)
2X
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & TO L E R A N C ING P E R A N S I Y 1 4.5M , 1 9 82.
2 C O N TR O L LIN G D IM E N S IO N : IN C H
Part Marking Information
TO-220AB
E X A M P L E : TH IS IS A N IR F 1 0 1 0
2 .64 (.10 4)
3 O U T LIN E C O N F O R M S TO JE D E C O U T LIN E TO -2 20 -A B .
4 H E A TS IN K & LE A D M E A S U R E M E N T S D O N O T IN C LU DE B U R R S .
W ITH A S S E M B L Y
L O T C O D E 9 B 1M
IN TE R N A T IO N A L
R E C TIFIE R
LOGO
IR F 1 0 10
9246
A
PART NU MBER
ASSEMBLY
L OT C O D E
9B 1 M
D A TE C O D E
(Y Y W W )
YY = YEAR
W W = W EEK
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 5/98
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PDF描述 |
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| IRF520NLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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