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参数资料
| 型号： | IRF530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
175 C Operating Temperature
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Ο
Lower Leakage Current : 10 μ A (Max.) @ V DS = 100V
Lower R DS(ON) : 0.092 ? (Typ.)
IRF530A
BV DSS = 100 V
R DS(on) = 0.11 ?
I D = 14 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C )
Continuous Drain Current (T C =100 C )
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Ο
Ο
Value
100
14
9.9
Units
V
A
O
Total Power Dissipation (T C =25 C )
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Ο
Linear Derating Factor
O 1
2
O 1
O 1
O 3
56
+ _ 2 0
261
14
5.5
6.5
55
0.36
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Ο
T J , T STG
T L
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
- 55 to +175
300
Ο
C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
Characteristic
Junction-to-Case
Typ.
--
Max.
2.74
Units
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
0.5
--
--
62.5
Ο
C /W
Rev. B
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530H | 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES |
| IRF530L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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