- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录443 > IRF530A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IRF530A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics (T C =25 C unless otherwise specified)
Ο
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
100
--
--
V
V GS =0V,I D =250 μ A
V/ C I D =250 μ A
? BV/ ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
--
0.11
--
Ο
See Fig 7
V DS =80V,T C =150 C
V GS(th)
I GSS
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Drain-to-Source Leakage Current
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
4.0
100
-100
10
100
V
nA
μ A
V DS =5V,I D =250 μ A
V GS =20V
V GS =-20V
V DS =100V
Ο
R DS(on)
g fs
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
--
--
--
10.25
0.11
--
?
?
V GS =10V,I D =7A
V DS =40V,I D =7A
O 4
O 4
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
--
--
--
610
150
62
790
175
72
pF
V GS =0V,V DS =25V,f =1MHz
See Fig 5
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
--
--
--
--
--
--
--
13
14
55
36
27
4.5
12.8
40
40
110
80
36
--
--
ns
nC
V DD =50V,I D =14A,
R G =12 ?
See Fig 13
V DS =80V,V GS =10V,
I D =14A
See Fig 6 & Fig 12
O 4 O 5
O 4 O 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Characteristic
Min. Typ. Max. Units
Test Condition
T J =25 C ,I S =14A,V GS =0V
T J =25 C ,I F =14A
I S
I SM
V SD
t rr
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
O 1
O 4
--
--
--
--
--
--
--
109
14
56
1.5
--
A
V
ns
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
Ο
Ο
Q rr
Reverse Recovery Charge
--
0.41
--
￥ì C
di F /dt=100A/ μ s
O 4
O
O 2 L=2mH, I AS =14A, V DD =25V, R G =27 ? , Starting T J =25 o C o
Notes ;
1 Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
O 3 I SD <_ 14 A, di/dt <_ 35 0A/ μ s, V DD <_ BV DSS , Starting T J =25 C
O 4 Pulse Test : Pulse Width = 250 μ s, Duty Cycle <_ 2%
O 5 Essentially Independent of Operating Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530H | 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES |
| IRF530L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。