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参数资料
型号： IRF530A
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
标准包装： 50
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 14A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 110 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 790pF @ 25V
功率 - 最大： 55W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
IRF530A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
--
I S
L
V GS
Driver
V GS
V GS
( Driver )
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by “R G ”
? I S controlled by Duty Factor “D”
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
V DD
10V
I FM , Body Diode Forward Current
I S
( DUT )
di/dt
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V f
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
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PDF描述
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参数描述
IRF530A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5
IRF530FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530H 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES
IRF530L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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