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参数资料
| 型号： | IRF530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
IRF530A
“ Current Regulator ”
Same Type
V GS
12V
200nF
50K ?
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
R 1
R 2
Current Sampling (I G )
Resistor
Current Sampling (I D )
Resistor
Charge
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
R L
V out
V in
V DD
V out
90%
( 0.5 rated V DS )
R G
10V
DUT
V in
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L L I AS2 --------------------
BV DSS -- V DD
Vary t p to obtain
required peak I D
V DS
L L
I D
BV DSS
I AS
1
2
R G
DUT
C
V DD
V DD
I D (t)
V DS (t)
10V
t p
t p
Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530H | 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES |
| IRF530L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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