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参数资料
| 型号： | IRF530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
V GS
IRF530A
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
10 1
10 1
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
10 0
175 o C
25 o C
@ Notes :
10
0
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
- 55 o C
1. V GS = 0 V
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
10 -1
10 0
10 1
10 -1
2
4
6
8
10
0.20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.15
0.10
V GS = 10 V
V GS = 20 V
10 1
10 0
0.05
@ Notes :
175 o C
1. V GS = 0 V
@ Note : T J = 25 o C
25 o C
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
0
15
30
45
60
10 -1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
1000
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
750
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 20 V
V DS = 50 V
V DS = 80 V
C oss
500
@ Notes :
5
250
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
@ Notes : I D = 14.0 A
0 0
10
10 1
0
0
5
10
15
20
25
30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530H | 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES |
| IRF530L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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