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参数资料
| 型号： | IRF530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IRF530A
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
3.0
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
1. V GS = 10 V
2. I D = 7.0 A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 9. Max. Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
15
Operation in This Area
10 2
is Limited by R DS(on)
100 μ s
10 μ s
12
10 1
1 ms
9
10 ms
DC
6
10
0
@ Notes :
1. T C = 25 o C
2. T J = 175 o C
3. Single Pulse
3
10 -1
10 0
10 1
10 2
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , Drain-Source Voltage [V]
D=0.5
10 0
Fig 11. Thermal Response
T c , Case Temperature [ o C]
0.2
@ Notes :
1. Z θ J C (t)=2.74
o C/W
Max.
0.1
0.05
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T J M -T C =P D M *Z θ J C (t)
10 - 1
0.02
P DM
0.01
single pulse
t 1
t 2
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530NL | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 |
| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| IRF540NL | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 |
| IRF540STRR | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530H | 制造商:HAR 功能描述:IRF530 HARRIS NOTES |
| IRF530L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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