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参数资料
| 型号： | IRF5800TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF5800TRPBFDKR |
PD - 96029A
IRF5800PbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
D
D
1
2
6
5
A
D
D
V DSS = -30V
l Low Gate Charge
l Lead-Free
l Halogen-Free
Description
G
3
Top View
4
S
R DS(on) = 0.085 ?
These P-channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications.
The TSOP-6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET ? power MOSFET with R DS(on) 60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R DS(on) reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
Absolute Maximum Ratings
TSOP-6
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
E AS
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy ?
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-30
-4.0
-3.2
-32
2.0
1.3
0.016
20.6
± 20
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
mJ
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
1
04/20/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5804TRPBF | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| IRF6100PBF | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET |
| IRF6100 | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET |
| IRF6215L | MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 |
| IRF634B_FP001 | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5800TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor Polarity:P Channel |
| IRF5801 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A) |
| IRF5801TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 0.6A 6TSOP - Tape and Reel |
| IRF5801TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5802 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Id=0.9A) |
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