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参数资料
| 型号： | IRF5800TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 535pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF5800TRPBFDKR |
IRF5800PbF
0.20
0.16
0.25
0.20
VGS = -4.5V
0.15
0.12
0.08
ID = -4.0A
0.10
0.05
VGS = -10V
0.04
0.00
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
0
5
10
15
20
6
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
-I D , Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5804TRPBF | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| IRF6100PBF | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET |
| IRF6100 | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET |
| IRF6215L | MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 |
| IRF634B_FP001 | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5800TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor Polarity:P Channel |
| IRF5801 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A) |
| IRF5801TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 0.6A 6TSOP - Tape and Reel |
| IRF5801TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5802 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Id=0.9A) |
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