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参数资料
| 型号： | IRF634B_FP001 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 4.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 74W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
December 2013
IRF634B
N-Channel BFET MOSFET
250 V, 8.1 A, 450 m Ω
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar, DMOS technology. This advanced technology has
been especially tailored to minimize on-state resistance,
provide superior switching performance, and withstand
high energy pulse in the avalanche and commutation
mode. These devices are well suited for high efficiency
switching DC/DC converters and switch mode power
Features
? 8.1 A, 250 V, R DS(on) = 450 m Ω @ V GS = 10 V
? Low Gate Charge (Typ. 29 nC)
? Low Crss (Typ. 20 pF)
? Fast Switching
? 100% Avalanche Tested
? Improved dv/dt Capability
supplies.
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220
T C = 25°C unless otherwise noted.
G
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
IRF634B_FP001
250
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
8.1
5.1
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
32.4
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
200
8.1
7.4
4.8
74
0.59
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ CS
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Case-to-Sink, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
IRF634B_FP001
1.69
0.5
62.5
Unit
°C / W
°C / W
°C / W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
IRF634B Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640NL | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
| IRF644B_FP001 | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220 |
| IRF6603TR1 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| IRF6604TR1 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| IRF6607TR1 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF634FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| IRF634L | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF634N | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF634NLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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