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参数资料
| 型号： | IRF634B_FP001 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 4.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 74W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1
150 C
10
10
25 C
-55 C
0
Bottom : 5.0 V
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
o
o
o
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2.0
V GS = 10V
1
10
1.5
1.0
V GS = 20V
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
6
12
18
24
30
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2000
1500
1000
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
500
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 8.1 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
IRF634B Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640NL | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 |
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| IRF6603TR1 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| IRF6604TR1 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| IRF6607TR1 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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