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参数资料
| 型号： | IRF644B_FP001 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 139W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
December 2013
IRF644B
N-Channel BFET MOSFET
250 V, 14 A, 280 m Ω
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar, DMOS technology. This advanced technology has
been especially tailored to minimize on-state resistance,
provide superior switching performance, and withstand
high energy pulse in the avalanche and commutation
mode. These devices are well suited for high efficiency
switching DC/DC converters and switch mode power
supplies.
Features
? 14 A, 250 V, R DS(on) = 280 m Ω @ V GS = 10 V
? Low gate charge (Typ. 47 nC)
? Low Crss (Typ. 30 pF)
? Fast Switching
? 100% Avalanche Tested
? Improved dv/dt Capability
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220
T C = 25°C unless otherwise noted.
G
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
IRF644B_FP001
250
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
14
8.9
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
56
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
T L
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate Above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering,
1/8 " from Case for 5 Seconds
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
480
14
13.9
4.8
139
1.11
-55 to +150
300
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ CS
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
IRF644B_FP001
0.9
0.5
62.5
Unit
°C / W
°C / W
°C / W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
IRF644B Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
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