型号: | IRF6604TR1 |
厂商: | International Rectifier |
文件页数: | 1/13页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
产品变化通告: | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
标准包装: | 1,000 |
系列: | HEXFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 11.5 毫欧 @ 12A,7V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2270pF @ 15V |
功率 - 最大: | 2.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | DirectFET? 等容 MQ |
供应商设备封装: | DIRECTFET? MQ |
包装: | 带卷 (TR) |