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参数资料
| 型号： | IRF6604TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 12A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MQ |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MQ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6604
DirectFET ? Outline Dimension, MQ Outline
(Medium Size Can, Q-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
CODE MIN
MAX
MIN
MAX
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
6.25
4.80
3.85
0.35
0.68
0.68
0.69
0.57
0.23
1.57
2.95
0.59
0.03
0.08
6.35
5.05
3.95
0.45
0.72
0.72
0.73
0.61
0.27
1.70
3.12
0.70
0.08
0.17
0.246
0.189
0.152
0.014
0.027
0.027
0.027
0.022
0.009
0.062
0.116
0.023
0.001
0.003
0.250
0.199
0.156
0.018
0.028
0.028
0.029
0.024
0.011
0.067
0.123
0.028
0.003
0.007
www.irf.com
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6607TR1 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
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| IRF6633TR1 | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6607 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6607TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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