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参数资料
| 型号： | IRF520NS |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.20ohm，身份证\u003d 9.7A） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | IRF520NS |
IRF520NS/L
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
100
200
300
400
500
600
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 5.7A
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
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