IRF520PBF PDF资料下载(2/7 页)HEXFET Power MOSFET

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IRF520VPBF	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF520V	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF5210L	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
IRF5210S	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
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IRF520R	制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 9.2A I(D) \| TO-220AB
IRF520S	功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520SPBF	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520STRL	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520STRR	功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF520SPBF

功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF520STRL

功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF520STRR

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型号：	IRF520PBF
厂商：	International Rectifier
英文描述：	HEXFET Power MOSFET
中文描述：	HEXFET功率MOSFET
文件页数：	2/7页
文件大小：	230K
代理商：	IRF520PBF

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