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参数资料
| 型号： | IRF520SPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF520S, SiHF520S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
10 1
Top
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
10 1
25 ° C
175 ° C
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
10 0
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
20 μs Pulse Width
V DS = 50 V
10 -1
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91018_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
91018_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
8.0 V
3.0
2.5
I D = 9.2 A
V GS = 10 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
2.0
10 0
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
1.5
1.0
0.5
20 μs Pulse Width
T C = 175 °C
0.0
10 -1
10 0
10 1
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
91018_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91018_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 175 °C
Document Number: 91018
S11-1046-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF530STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF520STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF520STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF520V | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
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