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参数资料
| 型号： | IRF5210LPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | IRF5210LPBF |
www.irf.com
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-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
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-D
VGS
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-10V
-8.0V
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-6.0V
-5.5V
-5.0V
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TOP
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≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
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-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-D
-4.5V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
TOP
BOTTOM
2
4
6
8
10
12
14
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-D
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = -50V
≤
60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = -38A
VGS = -10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5210SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF5305LPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF5305SPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF530SPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF5803D2PBF | FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5210PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF5210PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -100V -40A TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220 TUBE 50 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power ;RoHS Compliant: Yes |
| IRF5210PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF5210S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK |
| IRF5210SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
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