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参数资料
| 型号： | IRF5210SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | IRF5210SPBF |
4
www.irf.com
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1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
25
50
75
100
125
150
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
-G
VDS= -80V
VDS= -50V
VDS= -20V
ID= -23A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-S
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
-D
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
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PDF描述 |
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