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参数资料
| 型号： | IRF5305PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | IRF5305PBF |
IRF5305PbF
6
www.irf.com
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
0
100
200
300
400
500
600
700
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = -25V
I
TOP -6.6A
-11A
BOTTOM -16A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-
VDD
DRIVER
A
-20V
15V
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PDF描述 |
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| IRF530 | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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