- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21649 > IRF5305STRR (International Rectifier)MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF5305STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q971401A |
IRF5305S/L
1000
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
1000
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
100
10
-4 .5V
100
10
-4 .5 V
1
20 μ s P U L S E W ID TH
T J c = = 25°C
A
1
20 μ s P U L S E W ID T H
J
T C = 175°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5°C
2.0
I D = -2 7A
10
T J = 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
V DS = -2 5 V
1
4
5
6
7
2 0μ s P U L S E W ID TH
8 9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = -1 0V
A
100 120 140 160 180
-V G S , G ate -to-Source Volta ge (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLZ34NSTRR | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK |
| 30-205 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-204 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-200 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-203 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5305STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530A | 功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。