参数资料
型号: IRF5305STRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
其它名称: Q971401A
IRF5305S/L
V DS
R D
35
30
R G
V GS
D.U.T.
V DD
25
20
15
-10V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
5
0
10%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature
( ° C)
90%
V DS
10
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.10
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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PDF描述
IRLZ34NSTRR MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
30-205 SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V
30-204 SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V
30-200 SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V
30-203 SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF5305STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF530A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5
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IRF530FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR