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参数资料
| 型号： | IRF5305STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q971401A |
IRF5305S/L
2500
V GS
=
0V , f = 1 M H z
20
I D = -16 A
2000
C iss
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
16
V D S = -4 4V
V D S = -2 8V
1500
1000
500
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
1000
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5 °C
1000
100
10
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μ s
1m s
T J = 2 5°C
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
10m s
V G S = 0 V
10
0.4
0.8 1.2 1.6 2.0
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
A
1
1
S ing le P u lse
10
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
100
A
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLZ34NSTRR | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK |
| 30-205 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-204 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-200 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
| 30-203 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.15A 24V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5305STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530A | 功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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