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参数资料
| 型号： | IRF530 |
| 厂商： | Transys Electronics Ltd. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
| 中文描述： | N沟道增强模式硅栅 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRF530 |
IRF530NS/L
4
www.irf.com
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
0
5
10
Q , Total Gate Charge (nC)
15
20
25
30
35
40
45
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 9.0A
1
10
100
0.4
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
V = 0V
GS
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
200
400
600
800
1000
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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