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参数资料
| 型号： | IRF530NLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | IRF530NLPBF |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
9.0A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF530NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF530NSPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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