型号: | IRF530NS |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d0.11Ω的,身份证\u003d 17A条) |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 178K |
代理商: | IRF530NS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF530 | N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF530 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE |
IRF530NLPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRF530NSPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRF530N | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF530NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
IRF530NSPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF530NSTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
IRF530NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
IRF530NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |