型号: | IRF540SPBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 2/9页 |
文件大小: | 2178K |
代理商: | IRF540SPBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF5NJ3315 | POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=150V, Rds(on)=0.08ohm, Id=20A) |
IRF5NJ5305 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:37; Connector Shell Size:28; Connecting Termination:Solder; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Pin; Gender:Female |
IRF5NJ540 | POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*) |
IRF5NJ6215 | POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-150V, Rds(on)=0.29ohm, Id=-11A) |
IRF5NJ9540 | POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF540STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF540STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF540STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF540STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF540Z | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |