IRF540SPBF PDF资料下载(3/9 页)HEXFET㈢ Power MOSFET

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相关代理商/技术参数	参数描述
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IRF540STRR	功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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型号：	IRF540SPBF
厂商：	International Rectifier
英文描述：	HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述：	㈢的HEXFET功率MOSFET
文件页数：	3/9页
文件大小：	2178K
代理商：	IRF540SPBF

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