- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录443 > IRF540STRR (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF540STRR |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
| 产品目录绘图： | IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF540S, SiHF540S
Vishay Siliconix
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R g
D.U.T
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
600
I D
500
Top
11 A
20 A
Bottom 28 A
400
300
200
100
0
V DD = 25 V
25
50
75
100
125
150
175
91022_12c
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
10 V
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
+
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
D.U.T.
I D
-
V DS
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91022
S11-1046-Rev. D, 30-May-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF5800TRPBF | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
| IRF5804TRPBF | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| IRF6100PBF | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET |
| IRF6100 | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET |
| IRF6215L | MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF540STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF540Z | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF540ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRF540ZL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF540ZLPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。