参数资料
型号: IRF5YZ48CM
厂商: International Rectifier
英文描述: Telecom Protection, 500mA 600V TELECOM SMD
中文描述: 功率MOSFET N沟道(减振钢板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 0.029ohm,身份证\u003d 18A条*)
文件页数: 6/7页
文件大小: 105K
代理商: IRF5YZ48CM
IRF5YZ48CM
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
8.0A
11.4A
18A
TOP
BOTTOM
相关PDF资料
PDF描述
IRF610SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF6216PBF HEXFET Power MOSFET
IRF6218PBF HEXFET Power MOSFET
IRF6218 SMPS MOSFET
IRF630NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF5YZ48CMSCV 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN TO-257 - Bulk
IRF5YZ48CMSCX 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN TO-257AA - Bulk
IRF610 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6100 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件