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参数资料
| 型号： | IRF5YZ48CM |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Telecom Protection, 500mA 600V TELECOM SMD |
| 中文描述： | 功率MOSFET N沟道（减振钢板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.029ohm，身份证\u003d 18A条*） |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IRF5YZ48CM |
www.irf.com
7
IRF5YZ48CM
Case Outline and Dimensions — TO-257AA
Repetitive Rating; Pulse width limited by
maximum junction temperature.
VDD = 25 V, Starting TJ = 25
°
C, L= 1.0mH
Peak IAS = 18A, RG= 25
ISD
≤
18A, di/dt
≤
213 A/
μ
s,
VDD
≤
55V, TJ
≤
150
°
C
Pulse width
≤
400
μ
s; Duty Cycle
≤
2%
Footnotes:
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
Data and specifications subject to change without notice. 05/01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRF6218 | SMPS MOSFET |
| IRF630NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF5YZ48CMSCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN TO-257 - Bulk |
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| IRF610 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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