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参数资料
| 型号： | IRF610SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 1878K |
| 代理商： | IRF610SPBF |
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF6218PBF | HEXFET Power MOSFET |
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| IRF630N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF610STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF611 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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