- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377504 > IRF610SPBF (International Rectifier) HEXFET㈢ Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF610SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 1878K |
| 代理商： | IRF610SPBF |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"
#$
# %
&& %# %'$
(
)*+(#",(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6216PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF6218PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF6218 | SMPS MOSFET |
| IRF630NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
| IRF630N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF610STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF610STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF611 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。