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参数资料
| 型号： | IRF6216PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | IRF6216PBF |
IRF6216PbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25
J
°
C
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150
C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
0.1
1
10
100
5.0
5.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V DS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 150 C
T = 25 C
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-10V
-2.2A
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