- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377504 > IRF6216PBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF6216PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | IRF6216PBF |
IRF6216PbF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-
D
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6218PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF6218 | SMPS MOSFET |
| IRF630NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
| IRF630N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
| IRF630NL | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P |
| IRF6216PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR TRANSISTOR POLARITY:P |
| IRF6216TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF6216TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6217 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。