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参数资料
| 型号： | IRF6218PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IRF6218PBF |
IRF6218PbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
2
4
6
8
10
12
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10
100
-D
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 50V
≤
60μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = -27A
VGS = -10V
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
-D
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
-4.5V
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-D
-4.5V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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