型号: | IRF630 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
中文描述: | N沟道200伏-0.35Ω- 9A条- TO-220/FP网眼OVERLAYTM MOSFET的(不适用沟道功率MOSFET的) |
文件页数: | 7/9页 |
文件大小: | 104K |
代理商: | IRF630 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF640FP | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
IRF640 | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
IRF640S | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET |
IRF640S | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
IRF730 | N-Channel 400V-0.75Ω-5.5A - TO-220 PowerMESHTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF630 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
IRF630 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N 200V 9A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):400mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes |
IRF630_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET |
IRF630_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF630A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |