- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377504 > IRF630NSTRR (International Rectifier) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF630NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 9.3AI（四）|对263AB |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | IRF630NSTRR |
www.irf.com
8
IRF630N/S/L
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF634N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| IRF634NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| IRF634NS | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| IRF634NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| IRF634NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF630NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 9.3A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF630NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF630PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF630R | 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| IRF630S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。