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参数资料
| 型号： | IRF630S |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道200伏- 0.35ohm - 9A条-采用D2PAK网眼密胺] MOSFET的 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IRF630S |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 100 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 160 V
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V
10
15
14
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
31
7.5
9
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 160 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
12
12
25
17
17
35
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
9
36
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 9 A
I
SD
= 9 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, figure 5)
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
170
0.95
11
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area
Thermal Impedance
IRF630S
3/8
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