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参数资料
| 型号： | IRF630ST4 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 9A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IRF630ST4 |
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test CircuitsFor
ResistiveLoad
Fig. 1:
UnclampedInductiveWaveform
Fig. 4:
Gate Chargetest Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
IRF630S
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630 | N-Channel 200V-0.35Ω-9A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| IRF640FP | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| IRF640 | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| IRF640S | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET |
| IRF640S | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF630STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF630STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF630STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF630STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF631 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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