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参数资料
| 型号： | IRF634 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.45Ω，漏电流为8.1A）) |
| 中文描述： | 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | IRF634 |
IRF634
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
400
800
1200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
V
DS
= 200 V
V
DS
= 125 V
V
DS
= 50 V
@ Notes : I
D
= 8.1 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640A | L E D,YELLOW,50 DEG VIEW ANGLE |
| IRF644 | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| IRF644N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
| IRF644NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF634A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRF634B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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