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参数资料
| 型号： | IRF634N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 0.435ohm，身份证\u003d 8.0A） |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | IRF634N |
IRF634N/S/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.0A
3.4A
4.8A
TOP
RG
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF634NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
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| IRF634NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF634NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NS | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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