- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377504 > IRF634N (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF634N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 0.435ohm，身份证\u003d 8.0A） |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | IRF634N |
IRF634N/S/L
8
www.irf.com
LEA D A SSIG NMEN TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - S OU R CE
4 - D RA IN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTE S:
1 D IME NS IONING & TOLE RA NC ING PE R A NSI Y14.5M, 1982. 3 OU TLINE C ONFOR MS TO JE DEC OUTLIN E TO-220A B.
2 C ON TR OLLING D IMEN SION : INC H 4 HE ATSIN K & LE AD M EASU R EMEN TS D O NOT IN C LU DE BU R RS .
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF634NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| IRF634NS | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| IRF634NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| IRF634NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
| IRF634PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF634NL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF634NLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NS | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF634NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。