型号: | IRF634NS |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 250V,的Rds(on)\u003d 0.435ohm,身份证\u003d 8.0A) |
文件页数: | 7/11页 |
文件大小: | 301K |
代理商: | IRF634NS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF634NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
IRF634NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
IRF634PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
IRF634S | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
IRF634 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF634NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF634NSTRL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
IRF634NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF634NSTRR | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB |
IRF634NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |