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参数资料
| 型号： | IRF644 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 0.28ohm，身份证\u003d 14A条） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 900K |
| 代理商： | IRF644 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001
I
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100
μ
s
1 ms
DC
100 ms
10 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 7.0 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for IRF644B
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for IRFS644B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF644N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
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| IRF644NS | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
| IRF644NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| IRF644NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF644FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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