- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378636 > IRF644N (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF644N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 240mohm，身份证\u003d 14A条） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 900K |
| 代理商： | IRF644N |
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF644NL | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
| IRF644NS | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) |
| IRF644NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| IRF644NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| IRF644B | 250V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF644NL | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644NLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644NS | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。