参数资料
型号: IRF644N
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 250V,的Rds(on)\u003d 240mohm,身份证\u003d 14A条)
文件页数: 8/10页
文件大小: 900K
代理商: IRF644N
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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1
(
(
(
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(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
IRF644NL Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
IRF644NS Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
IRF644NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
IRF644NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
IRF644B 250V N-Channel MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF644NL 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NS 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644NSPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube