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参数资料
| 型号： | IRF6614 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2560pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 ST |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? ST |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6614
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
P D @T C = 25°C
T P
T J
T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Power Dissipation
Peak Soldering Temperature
Operating Junction and
Storage Temperature Range
2.1
1.4
42
270
-40 to + 150
W
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
–––
12.5
58
–––
R θ JA
R θ JC
R θ J-PCB
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Junction-to-PCB Mounted
Linear Derating Factor
20
–––
1.0
0.017
–––
3.0
–––
°C/W
W/°C
100
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.1
0.02
0.01
τ J
R 1
R 1
τ J
τ 1
τ 1
Ci= τ i / Ri
Ci= τ i / Ri
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
R 5
R 5
τ 5
τ 5
τ C
τ
Ri (°C/W)
0.6676
1.0462
1.5611
29.282
τ i (sec)
0.000066
0.000896
0.004386
0.68618
25.455
32
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Notes:
? Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state.
? T C measured with thermocouple incontact with top (Drain) of part.
? Used double sided cooling, mounting pad with large heatsink.
? Mounted on minimum footprint full size board with metalized
back and with small clip heatsink.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
? Surface mounted on 1 in. square Cu
board (still air).
www.irf.com
? Mounted to a PCB with
small clip heatsink (still air)
? Mounted on minimum
footprint full size board with
metalized back and with small
clip heatsink (still air)
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| GSM06DSES | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| GCM08DSEN | CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET |
| GCM08DSEH | CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET |
| EEM22DSXN | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6614TR1 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6614TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 55A 8.3mOhm 19nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6614TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6614TRPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6616 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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